您好！歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)！
- 收藏?zé)@芯微
- 手機(jī)訪問(wèn)
掃一掃訪問(wèn)手機(jī)網(wǎng)站 - 在線留言
- 網(wǎng)站地圖
深圳市烜芯微科技有限公司
ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd 二極管、三極管、MOS管、橋堆
全國(guó)服務(wù)熱線：18923864027
N
新聞中心
ews center
R
烜芯微推薦產(chǎn)品
ecommended
聯(lián)系烜芯微
咨詢熱線：
18923864027
傳真：
18923864027
QQ：
709211280
地址：
深圳市福田區(qū)振中路84號(hào)愛(ài)華科研樓7層
-
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)與原理介紹
2023-06-25
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)與原理介紹驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)基本要求SiC MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的基本要求主要有:①驅(qū)動(dòng)電流要足夠大，以縮短米勒平臺(tái)
-
SiC MOSFET輸出短路保護(hù)電路設(shè)計(jì)介紹
2023-06-25
SiC MOSFET輸出短路保護(hù)電路設(shè)計(jì)介紹SiC MOSFET具有輸入阻抗高、高頻性能好、單個(gè)驅(qū)動(dòng)功率小和無(wú)需并聯(lián)均流控制等顯著優(yōu)勢(shì)。隨著 SiC M
-
SiC MOSFET RC吸收電路設(shè)計(jì),參數(shù)計(jì)算介紹
2023-06-21
SiC MOSFET RC吸收電路設(shè)計(jì),參數(shù)計(jì)算介紹本文提出了一種 SiC MOSFET 的漏源極之間充放電型 RC吸收電路參數(shù)的計(jì)算方法。首先根據(jù)波形
-
SiC MOSFET短路保護(hù)理解解析
2023-06-21
SiC MOSFET短路保護(hù)理解解析SiC MOSFET短路保護(hù)1、SiC MOSFET的晶元面積小于IGBT晶元面積，短路時(shí)候散熱能力不及IGBT。2、IGBT短路后能
-
MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路配置圖文介紹
2023-06-21
MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路配置圖文介紹MOSFET驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)典型配置使用MOSFET驅(qū)動(dòng)器時(shí)可以采用許多不同的電路配置。很多時(shí)候，由于高的峰值電流、
-
MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功率損耗三個(gè)公式介紹
2023-06-20
MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功率損耗三個(gè)公式介紹MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗對(duì)MOSFET的柵極進(jìn)行充電和放電需要同樣的能量，無(wú)論充放電過(guò)程快或慢（柵極電壓的上
-
電路設(shè)計(jì),MOSFET內(nèi)部二極管應(yīng)用逆變器介紹
2023-06-20
電路設(shè)計(jì),MOSFET內(nèi)部二極管應(yīng)用逆變器介紹MOSFET體內(nèi)二極管MOSFET中用內(nèi)部二極管，保護(hù)器件免受因連接的電感性負(fù)載,產(chǎn)生的反向EMF尖峰的影
-
MOSFET的寄生電容,靜電容量解析
2023-06-20
MOSFET的寄生電容,靜電容量解析MOSFET的靜電容量在構(gòu)造上，功率MOSFET都存在寄生電容。MOSFET的G(柵極)端子和其他的電極間由氧化層絕緣，在
-
MOSFET的開關(guān)及其溫度特性介紹
2023-06-17
MOSFET的開關(guān)及其溫度特性介紹關(guān)于MOSFET的開關(guān)時(shí)間柵極電壓ON OFF之后，MOSFET才ON OFF。這個(gè)延遲時(shí)間為開關(guān)時(shí)間。開關(guān)時(shí)間如表1所示種類
-
電機(jī)PWM驅(qū)動(dòng),MOSFET寄生二極管功耗介紹
2023-06-17
電機(jī)PWM驅(qū)動(dòng),MOSFET寄生二極管功耗介紹本文分析一下使用有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC進(jìn)行PWM驅(qū)動(dòng)時(shí)，通過(guò)輸出MOSFET的寄生二極管進(jìn)行電流再生時(shí)的
-
MOSFET的截止頻率計(jì)算介紹
2023-06-17
MOSFET的截止頻率計(jì)算介紹MOSFET的截止頻率定義在MOS源極和漏極接交流地時(shí)，器件的小信號(hào)電流增益降至1的頻率稱為：transit frequency(fT)
-
MOS管各種泄漏電流的原因解析
2023-06-17
MOS管各種泄漏電流的原因解析MOS 晶體管正在按比例縮小，以最大限度地提高其在集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化層厚度的減少，進(jìn)而降低了