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基于CMOS的普通的AB級輸出電路圖9 24示出一例用CMOS構成AB級輸出電路的辦法。輸出晶體管M,和Mz兩個柵極間并聯銜接著n溝MOS晶體管M3和p溝MOS
輸入阻抗高由于柵氧化膜與硅襯底絕緣,所以CMOS的輸入具有十分高的輸入阻抗。實踐的CMOS器件中,輸入級裝備有維護電路(維護二極管或維護MO
MOS管工作原理MOS管定義MOS管學名是場效應管,是金屬-氧化物-半導體型場效應管,屬于絕緣柵型。其結構示意圖:結構示意圖解析1)溝道上面圖
詳解,N溝道MOS管和P溝道MOS管先講講MOS CMOS集成電路MOS集成電路特點:制造工藝比較簡單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡單,
輸入維護電路當器件加有過大的電壓或電流時,器件會遭到損傷而導致性能劣化,嚴重時會被擊穿。這時芯片上的布線或器件的分離局部將會被毀壞
漏極電流與VGS呈指數關系至此,所考慮的MOS晶體管的工作,都是柵極—源極間電壓VGS比閾值電壓VT大時的狀況。當VGS比VT大很多時,在柵氧化膜
圖9 27示出普通的OP放大器的符號。理想的OP放大器中,輸入電壓與輸出電壓的關系是這里的Vdm是OP放大器的電壓增益。所以當Vinp=Vinn時,輸出
源極接地電路中的負載驅動上一節討論的2級結構OP放大器的輸出級是源極接地電路。現在討論這種2級結構OP放大器的輸出級驅動負載電阻的情況。
邏輯閾值電壓由于邏輯閾值電壓是式(10 1)中的-IDS與式(10 2)中的IDS相等時的電壓,所以應用這個關系能夠求得Vin:假如KN=Kp,即KN KP=1,經
普通狀況下普遍用于高端驅動的MOS,導通時需求是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時柵極
MOS管的高頻小信號電容從MOS管的幾何構造及工作原理能夠發現,MOS管存在著多種電容,這會影響MOS管的高頻性能。依據MOS管的幾何構造構成的
MOS場效應管電源開關電路。簡單解釋一下MOS場效應管的工作原理。MOS 場效應管也被稱為MOSFET, 既Metal Oxide Semiconductor Field E