傳真:
18923864027
QQ:
709211280
地址:
深圳市福田區振中路84號愛華科研樓7層
MOS管柵極由金屬細絲組成的篩網狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽極和陰極之間的一個或多個具有細絲網或螺旋線形狀的電極,起控制陰極
MOSFET柵極簡介MOSFET柵極,場效應管根據三極管的原理開發出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏極,源極,它的特點是柵極的內阻極高,
逆變器MOS管選型及電路工作詳解(一)工作原理及電路這里主要是講述逆變器是由MOS場效應管,普通電源變壓器構成。其輸出功率取決于MOS場效
功率MOSFET工作原理功率MOSFET是從小功率MOS管展開來的。但在結構上,它們之間相差很大,為了更好天文解功率MOSFET的機理,首先來回想一下
TO-247封裝MOSFET芯片在制作完成之后,需要給MOSFET芯片加上一個外殼,即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護、冷卻的作用,同時還為芯
MOS管散熱片大功率逆變器MOS管,工作的時候,發熱量非常大,如果MOS管散熱效果不好,溫度過高就可能導致MOS管的燒毀,進而可能導致整個電路
igbt工作原理及接線圖igbt簡介igbt工作原理及接線圖,我們先了解一下igbt是什么?IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極
小功率場效應管小功率MOS場效應晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體),FET(Field Effect T
場效應管irf3205IR的HEXFET功率場效應管irf3205采用先進的工藝技術制造,具有極低的導通阻抗。場效應管irf3205這種特性,加上快速的轉換速
to263貼片mos管引腳圖MOS管封裝說明MOSFET芯片在制作完成之后,需要給MOSFET芯片加上一個外殼,即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護
mos恒流電路mos恒流電路,由信號源和電壓控制電流源(VCCS)兩部分組成。正弦信號源采用直接數字頻率合成(DDS)技術,即以一定頻率連續從E
MOSFET簡介MOSFET的全稱為:metal oxide semiconductor field-effect transistor,中文通常稱之為,金屬-氧化層-半導體-場效晶體管 MOS