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晶體管與CMOS邏輯的接口CMOS電路的最末級(jí),通常是用顯現(xiàn)器顯現(xiàn),或者介入繼電器控制大電流,或者向遠(yuǎn)處傳送信號(hào)等,很少?zèng)]有不借助晶體管的
穩(wěn)壓管有哪些基本參數(shù)穩(wěn)壓管在電子電路中起穩(wěn)定電壓的作用。通常用作穩(wěn)壓基準(zhǔn)電壓、維護(hù)、限幅和電平轉(zhuǎn)換等。(1)穩(wěn)壓管的圖形和文字符號(hào)及
CMOS電平COMS集成電路是互補(bǔ)對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary symmetry metal oxide semiconductor)集成電路的英文縮寫,電路的許
溫度參數(shù):TJ、TC、TA、Tch、TSTG、TLTc、Tch、TJ的含義略有差別,但在數(shù)值上一般是相同的。TSTG數(shù)值上一般也是和Tc相同的。TL在數(shù)值上一般
CMOS器件的接口構(gòu)成計(jì)算機(jī)、便攜式電話、光盤唱機(jī)、汽車駕駛導(dǎo)向系統(tǒng)等各種電子設(shè)備的主要進(jìn)行邏輯處理的CMOS器件(CMOS邏輯)的輸入、輸出必
mos管器件自身的失效普通來(lái)說(shuō),器件的失效率具有圖14 1所示的傾向。反映這種傾向的曲線叫做澡盆曲線。澡盆曲線,如圖所示能夠分為早期失效
CMOS電平與TTL電平邏輯器件中,決定交接信號(hào)的規(guī)格是由作為DC電學(xué)特性的輸入電壓肯定的。輸入電壓存在兩種規(guī)格:將輸入斷定為L(zhǎng)的低電平輸入
失效模式表14 2列出三種失效形式:①開(kāi)路失效 ②漏電流/短路失效 ③特性劣化失效在器件制造中產(chǎn)生緣由 實(shí)踐上要用電學(xué)實(shí)驗(yàn)的方法將器件的
存儲(chǔ)器為了記憶、改寫大量的數(shù)據(jù),需求運(yùn)用存儲(chǔ)器。關(guān)于將數(shù)據(jù)寫入、讀出存儲(chǔ)器單元的控制電路和輸入輸出電路,采用耗費(fèi)功率低、容易集成化
基本邏輯電路CMOS IC基本邏輯電路列于表10 1。邏輯符號(hào)有兩種表示法,一種是人們已經(jīng)熟習(xí)的美國(guó)MIL-STD標(biāo)準(zhǔn),另一種是最近展開(kāi)起來(lái)的IEC J
從高電壓向低電壓變換的接口高電壓向低電壓變換的接口要點(diǎn)不是L/H的邏輯傳輸上的問(wèn)題,而是在低的電壓下流入接納IC的輸入部分的電流以及因
cmos輸出容忍功能特點(diǎn)的作用資料輸出的容忍功用如圖13 22所示,在同一信號(hào)線上,①未運(yùn)用時(shí)電源VDD連接處于OFF狀態(tài)的IC的輸出的場(chǎng)所;②