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MOSFET的基本結構
2020-02-18
MOSFET的基本結構由于在柵極與半導體之間有絕緣二氧化硅的關系，MOS管器件的輸入阻抗非常高，此一特色使MOSFET在功率器件的應用相當引人注
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晶體管工作原理-晶體管分類-分析全面晶體管工作原理大全
2020-02-17
晶體管工作原理-晶體管分類-分析全面晶體管工作原理大全電力晶體管電力晶體管按英文Giant Transistor直譯為巨型晶體管，是一種耐高電壓、
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驅動變壓器電路解析
2020-02-16
驅動變壓器電路解析驅動變壓器的恢復在驅動MOS晶體管Q2導通期間的開始部分，D1和S2將導通。但是當Ql已經關斷并且基—射結間的恢復電流已經
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mos管源漏極-mosfet管柵極電壓-P型mosfet管的解析
2020-02-15
mos管源漏極-mosfet管柵極電壓-P型mosfet管的解析MOSFET 管的最大柵極電壓大部分MOSFET管指定了最大柵源極間電壓(±20V）。假定超越
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MOS晶體管種類-mos管種類名稱詳情
2020-02-14
MOS晶體管種類-mos管種類名稱詳情MOS晶體管種類按溝道區中載流子類型分N溝MOS晶體管：襯底為P型，源漏為重摻雜的N＋，溝道中載流子為電子P
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cmos及pmos-pmos工藝產品介紹與原理詳解
2020-01-17
cmos及pmos-pmos工藝產品介紹與原理詳解目前，MOSFET是ULSI電路中最主要的器件，由于它可比其他品種器件減少至更小的尺寸 MOSFET的主要技
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CMOS的柵極-雙極型晶體管 P溝道MOSFET圖
2020-01-17
CMOS的柵極-雙極型晶體管 P溝道MOSFET圖圖14 23(a)為- CMOS反相器，上方PMOS的柵極與下方NMOS的柵極相連，兩種器件皆為加強型MOSFET；對P
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MOS管的參數詳解
2020-01-17
MOS管的參數詳解MOS管主要參數如下：1 開啟電壓VT-開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開端構成導電溝道所需的柵極電壓；-規范
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n-p溝道mos管工作原理
2020-01-17
n-p溝道mos管工作原理P溝道MOS管工作原理金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯
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導通瞬間基極驅動圖解
2020-01-17
導通瞬間基極驅動圖解導通瞬間基極過驅動峰值輸入電流／bl為了保證迅速導通集電極電流，需要有一個持續時間很短且峰值約為導通期間平均值2
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單片開關電源的基本原理解析
2020-01-17
單片開關電源的基本原理解析單片MOS開關電源的典型應用電路如圖1-13所示。由于單端反激式開關電源電路簡單、所用元件少，輸出與輸人間有電
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CMOS-CMOS集成電路閂鎖效應措施介紹
2020-01-17
CMOS-CMOS集成電路閂鎖效應措施介紹cmos應用在CMOS應用中能同時將p溝道mos管與n溝道MOSFET制作在同一片芯片上．需要額外的摻雜及擴散步驟，