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碳化硅MOSFET優(yōu)勢(shì)分析-具體有哪些優(yōu)勢(shì)詳情
2020-05-15
碳化硅MOSFET優(yōu)勢(shì)分析-具體有哪些優(yōu)勢(shì)詳情碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)勢(shì)？（一）開(kāi)關(guān)損耗碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)勢(shì)，下圖1是1200V HighSpeed3 IGB
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MOS管源極與漏極可以互換嗎-三極管與MOS做開(kāi)關(guān)時(shí)有何區(qū)別
2020-05-15
MOS管源極與漏極可以互換嗎-三極管與MOS做開(kāi)關(guān)時(shí)有何區(qū)別場(chǎng)效應(yīng)管D極與S極能否隨意互換？場(chǎng)效應(yīng)管可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（簡(jiǎn)稱(chēng)JFET）和絕緣柵
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MOS管擊穿-MOS管擊穿分析
2020-05-14
MOS管擊穿-MOS管擊穿分析MOS管擊穿有哪些?場(chǎng)效應(yīng)管的三極：源級(jí)S 漏級(jí)D 柵級(jí)G。先講測(cè)試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極電壓，
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為什么MOS管飽和區(qū)溝道夾斷了還有電流與飽和區(qū)電流公式
2020-05-14
為什么MOS管飽和區(qū)溝道夾斷了還有電流與飽和區(qū)電流公式隨著漏源電壓不斷增大，當(dāng)達(dá)到夾斷電壓時(shí)，溝道厚度在漏極處減薄為零，溝道在漏極處
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如何理解場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)-解讀MOS管參數(shù)
2020-05-14
如何理解場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)-解讀MOS管參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類(lèi)型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（ju
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碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)核與驅(qū)動(dòng)要求和特性詳解
2020-05-14
碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)核與驅(qū)動(dòng)要求和特性詳解碳化硅mosfet是什么在SiC MOSFET的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET
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MOS管半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與如何制造詳解
2020-05-14
MOS管半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與如何制造詳解MOS管作為半導(dǎo)體領(lǐng)域最基礎(chǔ)的器件之一，無(wú)論是在IC 設(shè)計(jì)里，還是板級(jí)電路應(yīng)用上，都十分廣泛。MOS管一般是
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MOS管半導(dǎo)體-MOS管選型和測(cè)量方法
2020-05-14
MOS管半導(dǎo)體-MOS管選型和測(cè)量方法MOS管的英文全稱(chēng)叫MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），即金屬氧化物半導(dǎo)
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MOS管電壓型靜電擊穿分析
2020-05-14
MOS管電壓型靜電擊穿分析今天主要講MOS管電壓型靜電擊穿特點(diǎn)。其實(shí)MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小
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mos管漏電流和VGS的關(guān)系與MOSFET柵漏電流噪聲分析
2020-05-13
mos管漏電流和VGS的關(guān)系與MOSFET柵漏電流噪聲分析mos管漏電流與VGS呈指數(shù)關(guān)系至此，所考慮的MOS晶體管的工作，都是柵極—源極間電壓VGS比閾
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MOS管發(fā)熱異常匯總-排查原因優(yōu)化設(shè)備運(yùn)行
2020-05-13
MOS管發(fā)熱異常匯總-排查原因優(yōu)化設(shè)備運(yùn)行在電路設(shè)計(jì)的時(shí)候常常會(huì)發(fā)生MOS管發(fā)熱的情況，而MOS管發(fā)熱說(shuō)明了它正在錯(cuò)誤運(yùn)行。為了避免MOS管發(fā)
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碳化硅mosfet結(jié)構(gòu)特征-應(yīng)用優(yōu)勢(shì)和Si MOSFET對(duì)比分析
2020-05-13
碳化硅mosfet結(jié)構(gòu)特征-應(yīng)用優(yōu)勢(shì)和Si MOSFET對(duì)比分析什么是碳化硅mosfet在碳化硅mosfet的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比