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MOS管寄生參數(shù)的影響與其驅(qū)動(dòng)電路要點(diǎn)介紹
2024-08-05
MOS管寄生參數(shù)的影響與其驅(qū)動(dòng)電路要點(diǎn)介紹我們?cè)趹?yīng)用MOS管和設(shè)計(jì)MOS管驅(qū)動(dòng)的時(shí)候，有很多寄生參數(shù)，其中最影響MOS管開關(guān)性能的是源邊感抗。
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以NMOS舉例,只用萬用表二極管檔測量MOS管的好壞介紹
2024-08-05
以NMOS舉例,只用萬用表二極管檔測量MOS管的好壞介紹以NMOS舉例，只用萬用表二極管檔測量MOS管的好壞。NMOS的D極和S極之間有一個(gè)寄生二極管
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MOS管構(gòu)成的緩沖器Buffer與漏極開路門OD門的詳解
2024-08-05
MOS管構(gòu)成的緩沖器Buffer與漏極開路門OD門的詳解MOS管構(gòu)成的緩沖器Buffer和漏極開路們OD門是數(shù)字電路非常重要的概念，怎么構(gòu)成的；反相器，
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怎么計(jì)算MOS管的開關(guān)電路
2024-08-05
怎么計(jì)算MOS管的開關(guān)電路1 源極接地型開關(guān)如下是NMOS和PMOS的源極接地型開關(guān)，所謂源極接地型，即NMOS的源極直連GND，PMOS的源極直連VDD。
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三極管與MOS管在模擬電路上的區(qū)別介紹
2024-08-03
三極管與MOS管在模擬電路上的區(qū)別介紹MOS管和三極管在功能上有什么區(qū)別？這兩種元件本身就可以看作一個(gè)基本單元，一個(gè)獨(dú)立的器件，就算拆開
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MOS管驅(qū)動(dòng)電路功率損耗的計(jì)算方法介紹
2024-08-03
MOS管驅(qū)動(dòng)電路功率損耗的計(jì)算方法介紹當(dāng)我們?cè)谠O(shè)計(jì)任意一個(gè)開關(guān)電路的時(shí)候，功耗都是一個(gè)重要的考量，對(duì)于MOS管驅(qū)動(dòng)電路而言更是如此，在一
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MOS管,IGBT米勒平臺(tái)的解析
2024-08-03
MOS管,IGBT米勒平臺(tái)的解析米勒平臺(tái)的形成與其材料、制造工藝息息相關(guān)，當(dāng)GE之間電壓大于閾值點(diǎn)的時(shí)候，管子的CE電壓開始下降，但是下降的速
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MOS管的工作狀態(tài)與NMOS管的I/V特性曲線介紹
2024-08-03
MOS管的工作狀態(tài)與NMOS管的I V特性曲線介紹MOS管的工作狀態(tài)分為以下4個(gè)區(qū)域，以NMOS為例：(1)截止區(qū)：當(dāng)VGS(2)線性區(qū)：當(dāng)VGS>Vth, 且0此時(shí)
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MOS管的開關(guān)損耗計(jì)算介紹
2024-08-03
MOS管的開關(guān)損耗計(jì)算介紹開關(guān)損耗計(jì)算1、CCM 模式開關(guān)損耗CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式
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關(guān)于MOS管功率選型解析
2024-08-03
關(guān)于MOS管功率選型解析MOS管有兩大類型：N 溝道和 P 溝道。在功率系統(tǒng)中，MOS管可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在 N 溝道MOS管的柵極和源極間加
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MOS管驅(qū)動(dòng)的電容自舉電路工作原理和器件選型介紹
2024-08-03
MOS管驅(qū)動(dòng)的電容自舉電路工作原理和器件選型介紹說到升壓電路，大部分人第一反應(yīng)是BOOS升壓電路，今天我們就介紹一下成本更低的電容自舉升
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MOS管溝道夾斷了為什么還能將恒定載流子發(fā)送過去
2024-08-02
MOS管溝道夾斷了為什么還能將恒定載流子發(fā)送過去對(duì)于MOS管這樣一個(gè)三端口器件，先不看源極，就看柵極和漏極。可以這樣直觀的理解柵極電壓Vg