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深圳市烜芯微科技有限公司
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IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理知識
2020-12-15
IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理知識IGBT的結(jié)構(gòu)圖1所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為漏區(qū)
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解析IGBT的開關(guān)頻率上限有多高
2020-12-14
解析IGBT的開關(guān)頻率上限有多高首先，開關(guān)頻率是指IGBT在一秒鐘內(nèi)開關(guān)次數(shù)。而在確定的母線電壓和導(dǎo)通電流下，IGBT每次開關(guān)都會產(chǎn)生一定的損
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IGBT溫度與功率損耗的估算
2020-12-14
IGBT溫度與功率損耗的估算IGBT模塊的損耗IGBT模塊的損耗源于內(nèi)部IGBT和二極管（續(xù)流FWD、整流）芯片的損耗，主要是IGBT和FWD產(chǎn)生的損耗。IG
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二極管,三極管與穩(wěn)壓管表判斷好壞
2020-12-14
二極管,三極管與穩(wěn)壓管表判斷好壞1 用數(shù)字萬用表的二極管檔位測量二極管。測二極管時，使用萬用表的二極管的檔位。若將紅表筆接二極管陽（
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二極管的特性和應(yīng)用
2020-12-14
二極管的特性和應(yīng)用幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導(dǎo)體二極管，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生最早的半導(dǎo)體器件之一，其應(yīng)
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場效應(yīng)管使用優(yōu)勢，等詳細解析
2020-12-14
場效應(yīng)管使用優(yōu)勢，等詳細解析場效應(yīng)管使用優(yōu)勢，特點解析場效應(yīng)管的使用優(yōu)勢有哪些?場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在
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MOS管設(shè)計知識-傳輸管TG與組合邏輯延時解析
2020-12-14
MOS管設(shè)計知識-傳輸管TG與組合邏輯延時解析MOS管的基本性質(zhì)MOS管，即場效應(yīng)管，四端器件，S、D、G、B四個端口可以實現(xiàn)開和關(guān)的邏輯狀態(tài)，進
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MOS管的GS波形詳細解析
2020-12-14
MOS管的GS波形詳細解析對于電源工程師來講，很多時候都在看波形，看輸入波形，MOS開關(guān)波形，電流波形，輸出二極管波形，芯片波形，MOS管的G
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快速查找MOS管損壞的原因
2020-12-12
快速查找MOS管損壞的原因Q：什么原因會導(dǎo)致MOS管損壞？A：導(dǎo)致MOS管損壞的主要原因可總結(jié)為五種：雪崩破壞、器件發(fā)熱損壞、內(nèi)置二極管破壞
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MOS管與簡單CMOS邏輯電平電路
2020-12-12
MOS管與簡單CMOS邏輯電平電路現(xiàn)代單片機主要是采用CMOS工藝制成的。01MOS管MOS管又分為兩種類型：N型和P型。如下圖所示：以N型管為例，2端
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MOS管怎么檢測好壞
2020-12-12
MOS管怎么檢測好壞MOS管是金屬 —氧化物 —半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，或稱是金屬—絕緣體—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都
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功率mos管為什么會被燒毀
2020-12-12
功率mos管為什么會被燒毀mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)通到截止的過渡過程