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TVS二極管與齊納二極管的差異介紹
2024-08-19
TVS二極管與齊納二極管的差異介紹如圖2-6（a）所示，TVS二極管（ESD保護(hù)二極管）在短時間內(nèi)吸收很高的過電壓，其作用是避免對其它半導(dǎo)體器
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功率場效應(yīng)管的原理,特點(diǎn)與參數(shù)介紹
2024-08-19
功率場效應(yīng)管的原理,特點(diǎn)與參數(shù)介紹功率場效應(yīng)管又叫功率場控晶體管。一．功率場效應(yīng)管原理：半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分析略。本講義附加了相關(guān)資料，供
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反向電流阻斷電路的優(yōu)化設(shè)計方法解析
2024-08-19
反向電流阻斷電路的優(yōu)化設(shè)計方法解析反向電流是指系統(tǒng)輸出端的電壓高于輸入端的電壓，導(dǎo)致電流反向流過系統(tǒng)。來源： 1 MOSFET用于負(fù)載切
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AC DC逆變器電路圖介紹
2024-08-19
AC DC逆變器電路圖介紹這里介紹的逆變器（見圖）主要由MOS 場效應(yīng)管，普通電源變壓器構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS 場效應(yīng)管和電源變壓器的
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IGBT管的工作特性,IGBT管的選擇介紹
2024-08-17
IGBT管的工作特性,IGBT管的選擇介紹IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET
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怎么用雙MOS設(shè)計分立式負(fù)載開關(guān)
2024-08-17
怎么用雙MOS設(shè)計分立式負(fù)載開關(guān)基于單個MOSFET拓?fù)涞呢?fù)載開關(guān)只能阻斷一個方向的電流，由于MOSFET有一個固有的體二極管，如果存在反向電流
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MOS管與簡單CMOS邏輯電平電路介紹
2024-08-17
MOS管與簡單CMOS邏輯電平電路介紹現(xiàn)代單片機(jī)主要是采用CMOS工藝制成的。01 MOS管MOS管又分為兩種類型：N型和P型。如下圖所示：以N型管為例
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cmos電路中esd保護(hù)結(jié)構(gòu)原理與應(yīng)用介紹
2024-08-17
cmos電路中esd保護(hù)結(jié)構(gòu)原理與應(yīng)用介紹ESD(靜電放電)是CMOS電路中最為嚴(yán)重的失效機(jī)理之一，嚴(yán)重的會造成電路自我燒毀。論述了CMOS集成電路ES
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4個NMOS組成的全橋驅(qū)動電路介紹
2024-08-17
4個NMOS組成的全橋驅(qū)動電路介紹我們常用的電機(jī)驅(qū)動有半橋驅(qū)動和全橋驅(qū)動，通常我們也會搭配我們的驅(qū)動芯片和NMOS和PMOS來建立全橋和半橋驅(qū)
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怎么測試DC-DC的SW信號
2024-08-17
怎么測試DC-DC的SW信號對于絕大部分buck芯片而言其上下兩管都集成到芯片內(nèi)部，那么該如何觀測兩管的工作狀況呢？實(shí)際應(yīng)用中我們通過觀測上
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MOS管自舉電路原理與MOS管自舉電容工作原理解析
2024-08-17
MOS管自舉電路原理與MOS管自舉電容工作原理解析自舉電路也叫升壓電路，是利用自舉升壓二極管，自舉升壓電容等電子元件，使電容放電電壓和電
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OC門電路與OD門電路設(shè)計原理介紹
2024-08-16
OC門電路與OD門電路設(shè)計原理介紹1、OC門OC門和OD門它們的定義如下：OC：集電極開路（Open Collector）OD：漏極輸出（Open Drain）這是相