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深圳市烜芯微科技有限公司
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開(kāi)關(guān)電源的控制技術(shù):PWM與PFM介紹
2022-04-09
開(kāi)關(guān)電源的控制技術(shù):PWM與PFM介紹開(kāi)關(guān)電源的控制技術(shù)主要有三種：(1)脈沖寬度調(diào)制(PWM)；(2)脈沖頻率調(diào)制(PFM)；(3)脈沖寬度頻率調(diào)制(PWM-P
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雙穩(wěn)態(tài)一鍵開(kāi)關(guān)機(jī)電路知識(shí)介紹
2022-04-09
雙穩(wěn)態(tài)一鍵開(kāi)關(guān)機(jī)電路知識(shí)介紹雙穩(wěn)態(tài)電路設(shè)計(jì)原理：Q1,Q2組成雙穩(wěn)態(tài)電路。 由于C1的作用，上電的時(shí)候Q1先導(dǎo)通 ，Q2截止，如果沒(méi)按下按鍵
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怎么判斷MOS管是否被擊穿,與解決方法介紹
2022-04-09
怎么判斷MOS管是否被擊穿,與解決方法介紹可以使用數(shù)字萬(wàn)用表進(jìn)行判斷，通過(guò)測(cè)量MOS管漏極和源極的電阻可以簡(jiǎn)單的判斷出內(nèi)部是否擊穿短路，
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N溝道MOS管做電平轉(zhuǎn)換詳解
2022-04-08
N溝道MOS管做電平轉(zhuǎn)換詳解如圖所示，是 NMOS 場(chǎng)效應(yīng)管 雙向電平轉(zhuǎn)換電路。雙向傳輸原理：為了方便講述，定義 3 3V 為 A 端，5 0V
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PMOS-電池充電器的反向電壓保護(hù)介紹
2022-04-08
PMOS-電池充電器的反向電壓保護(hù)介紹P 溝道 MOSFET 設(shè)計(jì)圖7示出了第二種方法，即采用一個(gè) PMOS 晶體管作為保護(hù)器件。在此電路中，MP1
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MOSFET-電池充電器的反向電壓保護(hù)介紹
2022-04-08
MOSFET-電池充電器的反向電壓保護(hù)介紹處理電源電壓反轉(zhuǎn)有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負(fù)載之間連接一個(gè)二極管，但是由于二
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實(shí)用的過(guò)欠壓防反接多功能保護(hù)電路介紹
2022-04-07
實(shí)用的過(guò)欠壓防反接多功能保護(hù)電路介紹在電網(wǎng)中，由于大功率負(fù)載關(guān)閉等動(dòng)作，會(huì)導(dǎo)致供電電網(wǎng)電壓產(chǎn)生很高的過(guò)壓浪涌，這可能造成設(shè)備因?yàn)檩?
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幾種負(fù)電壓電源設(shè)計(jì)方案詳解
2022-04-07
幾種負(fù)電壓電源設(shè)計(jì)方案詳解在設(shè)計(jì)電路時(shí)，我們可能會(huì)遇到需要負(fù)電壓供電的系統(tǒng)，例如使用負(fù)電壓為IGBT提供關(guān)斷負(fù)電壓、運(yùn)放系統(tǒng)中用正負(fù)對(duì)
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怎么提高隔離式電源的效率
2022-04-07
怎么提高隔離式電源的效率在大多數(shù)降壓調(diào)節(jié)器的典型應(yīng)用中，使用有源開(kāi)關(guān)而非肖特基二極管是標(biāo)準(zhǔn)做法。這樣能大大提高轉(zhuǎn)換效率，尤其是產(chǎn)生
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正確對(duì)比了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
2022-04-06
正確對(duì)比了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化由于導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)較低，SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢(shì)，但是這一指標(biāo)也代表著與UnitedSiC
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SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路與導(dǎo)通/關(guān)斷動(dòng)作詳解
2022-04-06
SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路與導(dǎo)通 關(guān)斷動(dòng)作詳解SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路LS（低邊）側(cè)SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時(shí)的VDS和ID的
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SiC MOSFET低邊開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)Gate-Source間電壓的動(dòng)作介紹
2022-04-06
SiC MOSFET低邊開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)Gate-Source間電壓的動(dòng)作介紹當(dāng)SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，首先ID會(huì)變化（下述波形示意圖T1）。此時(shí)LS的ID沿增加方