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20G10場效應管,N+PMOS管20G10參數資料,20G10引腳圖,20G10中文資料規格書PDF
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20G10 PDFN5*6封裝參數:點擊查看
極性:NPN+PNP
NPN極參數如下:
NPN極參數如下:
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds:100V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs:±20V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃:15A
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃:3.5W
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=70℃:W
Static Drain-Source On-Resistance 導通電阻ID=5A,VGS=10V: Typ 65mΩ Max 90mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 導通電阻ID=3A,VGS=4.5V:Typ 75mΩ Max 105mΩ
Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍:-55~+150℃
PNP極參數如下:
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds:-100V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs:±20V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃:-7A
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃:3.5W
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=70℃:W
Static Drain-Source On-Resistance 導通電阻ID=-3A,VGS=-10V: Typ 180mΩ Max 220mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 導通電阻ID=-2A,VGS=-4.5V:Typ 210mΩ Max 255mΩ
Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍:-55~+150℃
20G10場效應管PDFN5*6-8L封裝尺寸:
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