晶體三極管又稱晶體管、雙極型晶體管；
在晶體管中有兩類不同的載流子參與導(dǎo)電。
一、晶體管的結(jié)構(gòu)和類型
晶體管的結(jié)構(gòu)
在同一個(gè)硅片上制造出三個(gè)摻雜區(qū)域，并形成兩個(gè)PN結(jié)，就形成三極管。
2.晶體管的類型
基極為P的稱為NPN型，基極為N的稱為PNP型。
二、晶體管的電流放大作用
晶體管的放大狀態(tài)的外部條件：發(fā)射結(jié)正偏且集電結(jié)反偏。
發(fā)射結(jié)正偏：發(fā)射區(qū)的載流子可以擴(kuò)散到基區(qū)
集電結(jié)反偏：基區(qū)的非平衡少子(從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)的載流子)可以漂移到集電區(qū)。
如果發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)也正偏，出現(xiàn)的情況將是發(fā)射區(qū)的載流子擴(kuò)散到基區(qū)，同時(shí)集電區(qū)的載流子也漂移到基區(qū)。
1.晶體管內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)
①發(fā)射結(jié)正偏：發(fā)射區(qū)載流子向基區(qū)擴(kuò)散，基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)漂移
②集電極反偏，非平衡少子運(yùn)動(dòng)：從發(fā)射區(qū)過(guò)來(lái)的載流子到達(dá)基區(qū)后，稱為非平衡少子(基區(qū)是P帶正電，載流子是電子，所以是非平衡少子； 基區(qū)空穴雖然是多子，但是數(shù)量比較少)，一方面與基區(qū)的空穴復(fù)合(少量)； 另一方面，由于集電極反偏，會(huì)產(chǎn)生非平衡少子的漂移運(yùn)動(dòng)，非平衡少子從基區(qū)漂移到集電極，從而產(chǎn)生漂移電流。 由于集電極面積非常大，所以可以產(chǎn)生比較大的漂移電流(到達(dá)基區(qū)的載流子，由于集電極反偏，所以對(duì)基區(qū)的非平衡少子有吸引，集電極帶正電，非平衡少子帶負(fù)電）
③集電極反偏，少子漂移電流：由于集電結(jié)反偏，處于基區(qū)的少子(電子)會(huì)漂移運(yùn)到到集電區(qū)； 集電區(qū)的少子(空穴)會(huì)漂移運(yùn)動(dòng)到基區(qū)
2.晶體管中的電流分關(guān)系
三、共射電路放大系數(shù)
直流放大系數(shù)：放大系數(shù)：Ic=(1+β)IB
2.交流放大系數(shù)：直流電流放大系數(shù)可以代替交流電流放大系數(shù)
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