SiC MOSFET由于開關速度快，在大電流大電壓工作條件下，開關瞬態(tài)會產生非常高的電流變化率di/dt和電壓變化率dv/dt，因此其對功率回路的寄生參數非常敏感，容易產生嚴重的高頻振蕩。研究發(fā)現，SiC MOSFET的振蕩分別發(fā)生在開通瞬態(tài)的電流上升階段和電壓下降階段、以及關斷瞬態(tài)的電壓上升階段和電流下降階段這四處。
從上述分析可知，無論是電流還是電壓，開關瞬態(tài)的高頻振蕩都與寄生參數密切相關，這就需要在實際應用場景中正確選擇驅動柵極電阻和外加電容來減小電壓電流變化率，或者添加適當的RC阻尼電路等，減小高頻振蕩的影響。
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