功率晶體管
近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。下圖表示處理各功率晶體管的功率與頻率范圍。
可以看出，Si-MOSFET在這個比較中，導(dǎo)通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率條件下，高速工作表現(xiàn)更佳。
平面MOSFET與超級結(jié)MOSFET
Si-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面MOSFET和超級結(jié)MOSFET。簡而言之，就是在功率晶體管的范圍，為超越平面結(jié)構(gòu)的極限而開發(fā)的就是超級結(jié)結(jié)構(gòu)。
如下圖所示，平面結(jié)構(gòu)是平面性地構(gòu)成晶體管。這種結(jié)構(gòu)當(dāng)耐壓提高時，漂移層會增厚，存在導(dǎo)通電阻增加的課題。而超級結(jié)結(jié)構(gòu)是排列多個垂直PN結(jié)的結(jié)構(gòu)，可保持耐壓的同時降低導(dǎo)通電阻RDS(ON)與柵極電荷量Qg。
另外，內(nèi)部二極管的反向電流irr和反向恢復(fù)時間trr是作為晶體管的關(guān)斷開關(guān)特性的探討項(xiàng)目。
如下面的波形圖所示，基本上超級結(jié)MOSFET的PN結(jié)面積比平面MOSFET大，因此與平面MOSFET相比，具有trr速度更快、但irr較多的特性。
這種特性作為超級結(jié)MOSFET的課題在不斷改善，因其高速性和低噪聲特征，超級結(jié)MOSFET有一些變化。
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