硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)
硬開(kāi)關(guān)：
在實(shí)際的開(kāi)關(guān)電路中，MOSFET、IGBT等開(kāi)關(guān)器件并非理想開(kāi)關(guān)器件，其開(kāi)通和關(guān)斷狀態(tài)之間還存在中間的過(guò)渡狀態(tài)。
我們知道理想開(kāi)關(guān)狀態(tài)下，開(kāi)關(guān)器件的端電壓為0或流過(guò)開(kāi)關(guān)管的電流為0，而兩者的過(guò)渡狀態(tài)下，電壓、電流均不為0，兩者出現(xiàn)交疊，因此會(huì)產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗，而電壓和電流變化速度很快，波形會(huì)產(chǎn)生明顯過(guò)充，從而產(chǎn)生了開(kāi)關(guān)噪聲，如圖1a所示。這種開(kāi)關(guān)過(guò)程被稱為硬開(kāi)關(guān)。
軟開(kāi)關(guān)：
軟開(kāi)關(guān)則是在開(kāi)關(guān)開(kāi)通或關(guān)斷過(guò)程中，電壓和電流沒(méi)有交疊，從而顯著降低開(kāi)關(guān)損耗和電磁干擾。從上述定義可知，若要實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)器件的軟開(kāi)關(guān)，則需要使其開(kāi)通前兩端電壓降為0或使其關(guān)斷前流過(guò)的電流降為0，如圖1b所示。
所以，軟開(kāi)關(guān)電路主要分為零電壓開(kāi)通和零電流關(guān)斷。零電壓開(kāi)通時(shí)，開(kāi)關(guān)開(kāi)通前其兩端電壓為0；零電流關(guān)斷時(shí)，開(kāi)關(guān)關(guān)斷前其流過(guò)的電流為0。
圖1a 硬開(kāi)關(guān)過(guò)程中電流和電壓波形
圖1b 軟開(kāi)關(guān)過(guò)程中電流和電壓波形
最經(jīng)典的軟開(kāi)關(guān)電路是利用諧振構(gòu)造軟開(kāi)關(guān)條件，但是諧振往往需要外加諧振器件和電路，這不僅會(huì)增加電路的復(fù)雜度，也對(duì)電路的諧振參數(shù)計(jì)算有很高要求。
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