dv/dt失效是MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB,使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現象。
dv/dt是單位時間內的電壓變化量,vDS的上升坡度越陡,越容易發生MOSFET的dv/dt失效問題。
一般來說,反向恢復特性越差,dv/dt的坡度越陡,越容易產生MOSFET的dv/dt失效。
什么是dv/dt失效
如下圖(2)所示,dv/dt失效是由于MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的瞬態充電電流流過基極電阻RB,導致寄生雙極晶體管的基極和發射極之間產生電位差vBE,使寄生雙極晶體管導通,引起短路并造成失效的現象。
通常,dv/dt越大(越陡),vBE的電位差就越大,寄生雙極晶體管越容易導通,從而越容易發生失效問題。
MOSFET的dv/dt失效電流路徑示意圖(藍色部分)
此外,在逆變器電路或Totem-Pole PFC等上下橋結構的電路中,反向恢復電流Irr會流過MOSFET。受該反向恢復電流影響的dv/dt,可能會使寄生雙極晶體管誤導通,這一點需要注意。
dv/dt失效與反向恢復特性之間的關系可以通過雙脈沖測試來確認。
雙脈沖測試的電路簡圖如下:
雙脈沖測試的電路簡圖
dv/dt和反向恢復電流的仿真結果如下圖所示。設MOSFET①~③的柵極電阻RG和電源電壓vDD等電路條件相同,僅反向恢復特性不同。
圖中列出了Q1從續流工作轉換到反向恢復工作時的漏源電壓vDS和漏極電流(內部二極管電流)ID。
雙脈沖測試的仿真結果
一般情況下,與MOSFET①相比,MOSFET③可以說是“反向恢復特性較差(Irr和trr大)”的產品。從這個仿真結果可以看出,反向恢復特性越差,dv/dt的坡度就越陡峭。
這一點通過流經電容器的瞬態電流通常用I=C×dv/dt來表示也可以理解。此外,在上述仿真中,Irr的斜率(di/dt)均設置為相同條件,但當di/dt陡峭時,dv/dt也會變陡峭。
綜上所述,可以說,在橋式電路中使用MOSFET時,反向恢復特性越差的MOSFET,發生MOSFET的dv/dt失效風險越大。
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