MOS管的GS波形振鈴現(xiàn)象
測試MOS管GS波形有時(shí)會看到下圖中的這種波形，在芯片輸出端是非常好的方波輸出，一旦到了MOS管的G極就出問題了，有振鈴，這個(gè)振鈴小的時(shí)候還能勉強(qiáng)過關(guān)，但是有時(shí)候振鈴特別大，嚴(yán)重時(shí)將引起電路震蕩。
MOS管的GS波形振鈴分析與仿真
IC出來的波形正常，到C1兩端的波形就有振蕩了，實(shí)際上這個(gè)振蕩就是R1、L1和C1三個(gè)元器件的串聯(lián)振蕩引起的，R1為驅(qū)動(dòng)電阻，是我們外加的，L1是PCB上走線的寄生電感，C1是MOS管gs的寄生電容。
對于一個(gè)RLC串聯(lián)諧振電路，其中L1和C1不消耗功率，電阻R1起到阻值振蕩的作用阻尼作用。
實(shí)際上這個(gè)電阻的值就決定了C1兩端會不會振蕩。
1、當(dāng)R1>2(L1/C1)^0.5時(shí)，為過阻尼情況。對此進(jìn)行仿真，構(gòu)建模型及仿真波形如下圖：
GS時(shí)域波形上升沿變緩，幅頻特性曲線在極點(diǎn)處遠(yuǎn)小于-3dB，在這種情況下，基本是不會發(fā)生振蕩的。
2、當(dāng)R1=2(L1/C1)^0.5時(shí)，為臨界情況，如圖所示：
GS時(shí)域波形達(dá)到最佳狀態(tài)，幅頻特性曲線在極點(diǎn)處接近于-3dB，在這種情況下，不會有振蕩，并且波形最佳。
3、當(dāng)R1<2(L1/C1)^0.5時(shí)，為欠阻尼情況，參見下圖：
GS時(shí)域波形出現(xiàn)震鈴，幅頻特性曲線在極點(diǎn)處高于0dB，在這種情況下，電路一定會發(fā)生振鈴，甚至發(fā)生震蕩。
振鈴問題處理
對于上述的幾個(gè)振蕩需要消除的話，我們有幾個(gè)選擇：
1、增大電阻R1，使R1≥2(L1/C1)^0.5，來消除振蕩，對于增大R1會降低電源效率的，我們一般選擇接近臨界的阻值。
2、減小PCB走線寄生電感L1，這個(gè)就是說在布局布線中一定要注意的。
3、增大C1，對于這個(gè)我們往往都不太好改變，C1的增大會使開通時(shí)間大大加長，我們一般都不去改變它。
所以最主要的還是在布局布線的時(shí)候，特別注意走線的長度“整個(gè)驅(qū)動(dòng)回路的長度”越短越好，另外可以適當(dāng)加大R1。
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