MOS管靜態(tài)功耗步驟
如下圖所示的NMOS反相器,現(xiàn)在要計(jì)算其靜態(tài)功耗。
當(dāng)輸入信號為高電平時(shí),NMOS閉合,但是又不是一個(gè)理想的開關(guān),所以有開關(guān)電阻RON。
所以,當(dāng)輸入為高電平時(shí),靜態(tài)功耗為下圖所示:
當(dāng)輸入為低電平時(shí),此時(shí)NMOS是理想的斷開,此時(shí)電路如下圖所示。
由于電路中沒有電流,所以功耗為0。
所以對于本有NMOS構(gòu)成的反相器而言,靜態(tài)功耗為:
當(dāng)忽略掉該直流導(dǎo)通電阻RON時(shí),則靜態(tài)功耗為:
如何理解mosfet靜態(tài)功耗低,三極管功耗為什么又比mos管功耗高,速度比mos管慢?
功耗是因?yàn)槿龢O管做開關(guān)時(shí),要一個(gè)Ib維持。而mos管是壓控device,基本上不消耗電流。
速度是因?yàn)?,mos管壓控時(shí),得等大gate上電荷積累到vth后,電路才導(dǎo)通;而三極管是電流控制,導(dǎo)通時(shí)間比mos管的小的多。
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