影響MOS器件及其集成電路可靠性的因素很多，有設(shè)計(jì)方面的，如材料、器件和工藝等的選取；
有工藝方面的，如物理、化學(xué)等工藝的不穩(wěn)定性；也有使用方面的，如電、熱、機(jī)械等的應(yīng)力和水汽等的侵入等。
從器件和工藝方面來考慮，影響MOS集成電路可靠性的主要因素有三個(gè)：一是柵極氧化層性能退化；二是熱電子效應(yīng)；三是電極布線的退化。
MOSFET的柵極二氧化硅薄膜是決定器件性能的關(guān)鍵性材料。因?yàn)槎趸璞∧ぞ哂辛己玫慕^緣性，同時(shí)它與Si表面接觸的表面態(tài)密度又很低，所以最常用作為柵絕緣層。
柵氧化層一般是采用熱氧化來制備的，良好氧化層的漏電流基本上為0，并且具有較高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度（擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度約為10MV/cm）。
但是，實(shí)際上發(fā)現(xiàn)，在器件和電路工作時(shí)，有時(shí)會(huì)發(fā)生由于柵氧化層的漏電、并導(dǎo)致?lián)舸┒鸬氖В划a(chǎn)生這種后果的根本原因就是氧化層在電壓作用下性能發(fā)生了退化。
一、柵氧化層性能退化的表現(xiàn)：擊穿
在柵極電壓作用下，柵氧化層發(fā)生性能退化的主要表現(xiàn)就是擊穿。
這里存在兩種類型的擊穿：一是瞬時(shí)擊穿（TZDB，Tims Zero Dielectic Breakdown），即是加上電壓后就馬上發(fā)生的擊穿——短路；
二是經(jīng)時(shí)擊穿（TDDB，Tims Dependent Dielectic Breakdown），即是加上電壓后需要經(jīng)過一段時(shí)間之后才發(fā)生的擊穿。
MOSFET和MOS-IC的早期失效往往就包括有柵氧化層的TZDB現(xiàn)象。
TDDB的產(chǎn)生與柵氧化層中的電場(chǎng)（柵電壓）有關(guān)。實(shí)驗(yàn)表明，按照引起擊穿電場(chǎng)的大小，可以把TDDB區(qū)分為三種不同的模式：
①模式A--在較低電場(chǎng)（1MV/cm）時(shí)就產(chǎn)生的擊穿；②模式B--在較高電場(chǎng)（數(shù)MV/cm）時(shí)產(chǎn)生的擊穿；③模式C--在很高電場(chǎng)（>8MV/cm）時(shí)才可能產(chǎn)生的擊穿。
TDDB的模式A往往是由于氧化層中存在針孔等缺陷的緣故，具有這種模式的早期擊穿的芯片，一般都可通過出廠前的篩選而淘汰掉，故模式A擊穿將直接影響到芯片的成品率。
由于氧化層中的針孔等缺陷主要是來自于材料和環(huán)境的污染、微粒之類的雜質(zhì)，所以提高材料和工藝的純凈度對(duì)于降低出現(xiàn)模式A的幾率、增高成品率具有重要的意義。
TDDB的模式B往往是由于氧化層中存在微量的Na、K等堿金屬和Fe、Ni等重金屬雜質(zhì)的緣故，這些雜質(zhì)離子在較高電場(chǎng)作用下會(huì)發(fā)生移動(dòng)，并且起著陷阱能級(jí)的作用。
因此，為了提高模式B的擊穿，也必須嚴(yán)格保證材料和工藝的純凈度，此外還必須注意晶體表面缺陷吸附重金屬雜質(zhì)所產(chǎn)生的不良影響（則需要關(guān)注襯底的結(jié)晶控制技術(shù)）。
TDDB的模式C擊穿電壓很高，接近二氧化硅的固有擊穿特性，這是由于氧化層中不存在雜質(zhì)和缺陷的緣故。
二、MOSFET柵氧化層退化的壽命評(píng)估
對(duì)于帶有經(jīng)時(shí)擊穿模式B的不良芯片，需要經(jīng)過較長(zhǎng)時(shí)間的試驗(yàn)才能檢測(cè)出來，因此必須事先確立器件壽命的檢測(cè)和評(píng)估方法。
為了保證集成電路能夠正常工作若干年（一般要求10年以上），就需要在出廠前預(yù)測(cè)出器件的壽命——壽命評(píng)估；這可以通過TDDB試驗(yàn)預(yù)測(cè)出柵氧化層的壽命來確定器件的壽命。
具體的辦法就是采用所謂加速壽命試驗(yàn)，即把許多器件置于強(qiáng)電場(chǎng)（高于7MV/cm）、溫度為100 0C左右的條件下，觀測(cè)器件的經(jīng)時(shí)失效率；
一般，柵氧化層的TDDB呈現(xiàn)出兩個(gè)區(qū)域：較快擊穿的早期失效區(qū)和需要經(jīng)過很長(zhǎng)時(shí)間才擊穿的磨損失效區(qū)（二氧化硅的固有擊穿區(qū)）。為了不讓器件在出廠后就產(chǎn)生問題，則必須盡量控制器件的早期失效。
對(duì)于較厚柵氧化層的器件，發(fā)現(xiàn)早期擊穿的失效率較高，這說明較厚的二氧化硅中含有較多的缺陷。
三、柵氧化層性能退化的機(jī)理
柵氧化層出現(xiàn)性能退化的主要原因是強(qiáng)電場(chǎng)使得柵氧化層產(chǎn)生了漏電、并從而導(dǎo)致的擊穿。
1、在強(qiáng)電場(chǎng)作用下，柵氧化層產(chǎn)生漏電往往是一種常見的現(xiàn)象。
實(shí)際上，當(dāng)氧化層中的電場(chǎng)強(qiáng)度大于6MV/cm時(shí)，即使是非常優(yōu)質(zhì)的氧化層，也將會(huì)產(chǎn)生由于量子效應(yīng)所引起的所謂F-N（Flowler-Nordheim）型隧道電流。
隨著器件尺寸的縮小，氧化層厚度也相應(yīng)地越來越薄（對(duì)于LSI而言，一般總是選取柵氧化層厚度為溝道長(zhǎng)度的1/50左右），則氧化層的這種F-N型隧道電流也將越來越顯著。
例如，對(duì)于厚度為10nm的柵氧化層，在電源電壓為5V時(shí)，氧化層中的電場(chǎng)就已經(jīng)大于5MV/cm，所以往往就必須考慮F-N型隧道電流以及所引起的擊穿。
2、柵氧化層的不斷漏電，就會(huì)導(dǎo)致氧化層擊穿，這是由于漏電會(huì)使得在氧化層中積蓄起很多電荷（正電荷或者負(fù)電荷）的緣故。
因?yàn)闁叛趸瘜又型嬖谠S多陷阱（電子陷阱、空穴陷阱或者中性陷阱），當(dāng)氧化層有隧道電流通過時(shí)，則這些陷阱就會(huì)俘獲載流子、積蓄起正電荷或者負(fù)電荷，并使得氧化層的局部電場(chǎng)增強(qiáng)；
由于電荷積蓄而導(dǎo)致局部電場(chǎng)增強(qiáng)時(shí)的能帶圖見圖2和圖3，其中圖1是沒有電荷積蓄時(shí)的能帶圖。
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