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  • 電容的去耦特性知識理解
    • 發(fā)布時間:2021-10-12 17:17:01
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    電容的去耦特性知識理解
    電容去耦是電源完整性(Power Integrity,PI)設(shè)計里面很重要的一部分,而PI設(shè)計則是為了保證電源分配網(wǎng)絡(luò)(Power Distribution Network,PDN)系統(tǒng)能夠滿足負載芯片對電源的要求。
    PDN主要作用:1、為負載提供干凈的供電電壓;2、為信號提供低噪?yún)⒖悸窂健?/div>
    電源噪聲
    電源噪聲有啥影響,打個極端的比方,IC的高電平判決門限是1.2V,我的電源噪聲是1.3V,當(dāng)我噪聲傳遞到了這個IC的時候,噪聲會造成誤判決。大部分時候沒有這么嚴重,但是噪聲會影響系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。
    而對于噪聲抑制,在設(shè)計的時候,并不是等著噪聲出現(xiàn)了之后再去想辦法消除或者是減輕它,做硬件的同學(xué)們應(yīng)該知道,問題出現(xiàn)后再去解決,這樣代價是非常大的。一般都是在設(shè)計之初就把各種預(yù)防措施都考慮進去,盡可能的規(guī)避掉可能會發(fā)生的問題,不要幻想著可以試錯(這可就是改板了,那都是經(jīng)費呀)。
    電源噪聲的來源:
    1、硬件本身引入的,比如說穩(wěn)壓電源的紋波,當(dāng)前穩(wěn)壓電源分為線性電源和開關(guān)電源,線性電源的紋波較小,開關(guān)電源的紋波較大,對于電源噪聲敏感的電路一般不建議使用開關(guān)電源(不過隨著技術(shù)的提升感覺現(xiàn)在開關(guān)電源紋波也能做的很小了);
    2、電源無法實時的響應(yīng)負載電流需求,一般電源依據(jù)負載的功耗需求需要實時的對輸出電流進行調(diào)整,否則當(dāng)負載功耗增大的時候,會導(dǎo)致電源輸出電壓被拉低。但是對于電源本身,是有一個調(diào)整響應(yīng)時間的,一般是us級,所以,當(dāng)負載電流瞬態(tài)變化頻率超過這一范圍的時候,穩(wěn)壓電源無法及時響應(yīng),就會造成鏈路上電壓出現(xiàn)跌落,這也是電源噪聲的一種;
    3、板上壓降,有路徑的地方就有阻抗,有負載就會有電流,有電流有阻抗就會有壓降。加上PCB上的各種寄生參數(shù),寄生電感和寄生電容對頻率敏感,而負載功耗一般也是動態(tài)變化的,具有交流特性,兩者一結(jié)合就造成的負載端電壓的波動,由阻抗產(chǎn)生的噪聲,也是電源噪聲的一種;
    4、PCB層間噪聲,PCB是有多層的,信號在傳輸穿過不同平面的同時會產(chǎn)生返回信號,信號有時候來不及通過去耦電容進行換層,就只能通過耦合的方式進行換層,對于不同的平面來說就相當(dāng)于電容在進行充放電,引起局部噪聲(實際上,通過去耦電容一樣會有噪聲,后面會講到)。
    電容去耦原理
    實際電路中,我們會看到芯片周圍布滿了電容,這些電容稱為去耦電容,為當(dāng)前硬件設(shè)計中解決噪聲問題的主要方式。我們可以通過下面兩種方式來對電容去耦有個初步的理解。
    1、阻抗角度
    可以通過一張圖來理解:
    電容去耦
    首先,我們對PDN的要求就是不論負載端瞬態(tài)電流如何變化,都得保證負載兩端電壓的穩(wěn)定,負載端電壓的變化要盡可能的小。依據(jù)等效電路,可以得到△U=Z*△I(此時電源為理想電源,阻抗都由Z來等效了,理想電源輸出的電壓是恒定的,那么z與負載就會形成一個分壓效果,進而影響負載兩端電壓的穩(wěn)定)。由于瞬態(tài)電流是動態(tài)的,有交流特性,而去耦電容剛好在交流條件下表現(xiàn)為低阻抗(再極端點,因為電阻并聯(lián)阻抗會減小,也就是電容并的越多,等效阻抗就越小),即去耦電容能夠減小Z,進而減小電源噪聲。
    2、儲能角度
    同樣可以通過一張圖來理解:
    電容去耦
    上圖可以看到,負載相當(dāng)于同時由電源和電容進行供電,當(dāng)負載電流穩(wěn)定的時候,I2為0,負載由電源進行供電,并且電容電壓等于電源供電電壓,此時電容是存儲滿了電量的,當(dāng)負載電流變化的時候,由于電源存在響應(yīng)時間,無法立即響應(yīng)負載電流的變化,因此負載端電壓會下降,此時電容感受到負載端電壓的變化,此時電容開始放電,I2不再為0,開始為負載供電,而I=C*dV/dt,當(dāng)電容的C足夠大的時候,只需要很小的dV就能夠提供很大的電流,用以滿足負載變化的需求,進而控制負載端電壓變化不至于過大。
    電容阻抗特性
    電容簡化模型如下:
    電容去耦
    ESR一般為電極,電解質(zhì)的等效電阻,C為電容的容值,ESL為電極和端子的等效電感。
    因此一個電容的特性阻抗Z可以表示為:
    Z=ESR+j2πfESL+1/j2πfC=ESR+j(2πfESL- 1/2πfC)
    當(dāng)頻率很低的時候,2πfESL遠小于1/2πfC,電流超前于電壓,電容的阻抗隨頻率增加而減小,電容呈現(xiàn)容性;當(dāng)頻率很高的時候,2πfESL大于1/2πfC,電流滯后于電壓,電容的阻抗隨頻率增加而增大,電容呈現(xiàn)感性;2πfESL=1/2πfC,f= 1/(2π√(ESLC)),電容呈現(xiàn)純電阻特性,此時電容阻抗最小,該頻率點也稱為電容的自諧振頻率。因此,去耦電容實際上都有一定的工作頻率范圍,只有在這個范圍內(nèi),去耦電容的去耦效果才比較好。
    電容去耦
    復(fù)阻抗概念
    Z=R+jX=R+j(XL-XC)
    當(dāng)X>0時,XL>XC,電壓超前于電流,電路呈感性;
    當(dāng)X<0時,XL<XC,電壓滯后于電流,電路呈容性;
    當(dāng)X=0時,XL=XC,電壓與電流同相,電路呈純阻性。
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