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  • 穩壓二極管的特性知識介紹
    • 發布時間:2021-09-30 16:07:04
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    穩壓二極管的特性知識介紹
    穩壓二極管是一種特殊工藝制造的面結型硅半導體二極管,此類二極管雜質濃度比較高,空間電荷區的電荷密度比較大,該區域狹窄,容易形成強電場,當反向電壓來臨時,反向電流急劇增加,產生反向擊穿。
    穩壓管核心理論
    穩壓管未工作時,處于反向截止狀態;正常工作時,處在反向擊穿狀態。
    穩壓二極管通常是工作在反向擊穿狀態。
    穩壓管正反向特性曲線
    穩壓二極管 特性
    正向特性:
    穩壓二極管的正向特性和普通二極管差不多。
    反向特性:
    其反向特性是在反向電壓低于反向擊穿電壓時,反向電阻很大,反向漏電流極小。但是,當反向電壓臨近反向電壓的臨界值時,反向電流驟然增大,稱為擊穿,在這一臨界擊穿點上,反向電阻驟然降至很小值。
    盡管電流在很大的范圍內變化,而二極管兩端的電壓卻基本上穩定在擊穿電壓附近,從而實現了二極管的穩壓功能。
    溫度影響
    溫度對半導體器件影響較大,所以溫度也會影響Vz的值。影響的程度由溫度系數衡量,在讀數據手冊是請注意這一參數值。
    下圖為穩壓二極管的伏安特性曲線
    穩壓二極管 特性
    穩壓二極管的別稱叫齊納二極管,而齊納擊穿的原理如下:
    在較高的反向電壓作用下,PN結的空間空間電荷區存在一個很強的電場,它能破壞共價鍵的束縛,將電子分離出來產生電子空穴對,在電場作用下,電子移向N區,空穴移項P區,從而形成很大的反向電流,這種現象叫做齊納擊穿。
    齊納擊穿的條件:必須是半導體器件的雜質濃度很高,雜質濃度大,空間電荷區內電荷密度大,因而空間電荷區狹窄,電場強度才很高。
    可逆與不可逆
    齊納擊穿的過程是可逆的,在PN結上加上反向電壓減小\降低后,PN結仍可以恢復到原來的狀態。但是請注意親提條件,反向電流和反向電壓之積不能超過PN結容許的耗散功率,一旦超過且持續時間較長,將會導致器件損壞,這種就是發生熱擊穿,熱擊穿不可逆,注意避免。
    (Izk為拐點電流;)
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