判斷三極管飽和時應該求出基級最大飽和電流 IBS，然后再根據(jù)實際的電路求出當前的基級電流，如果當前的基級電流大于基級最大飽和電流，則可判斷電路此時處于飽和狀態(tài)。
三極管飽和問題總結：
1. 在實際工作中，常用 Ib*β=V/R 作為判斷臨界飽和的條件。根據(jù) Ib*β=V/R 算出的 Ib 值，只是使晶體管進入了初始飽和狀態(tài)，實際上應該取該值的數(shù)倍以上，才能達到真正的飽和；倍數(shù)越大，飽和程度就越深。
2. 集電極電阻 越大越容易飽和；
3. 飽和區(qū)的現(xiàn)象就是：二個 PN 結均正偏，IC 不受 IB 之控制
問題：基極電流達到多少時三極管飽和？
解答：這個值應該是不固定的，它和集電極負載、β值有關，估算是這樣的：假定負載電阻是 1K，VCC 是 5V，飽和時電阻通過電流最大也就是 5mA，用除以該管子的β值（假定β=100）5/100=0.05mA=50μA，那么基極電流大于 50μA 就可以飽和。
對于 9013、9012 而言，飽和時 Vce 小于 0.6V，Vbe 小于 1.2V。下面是 9013 的特性表：
問題：如何判斷飽和？
判斷飽和時應該求出基級最大飽和電流 IBS，然后再根據(jù)實際的電路求出當前的基級電流，如果當前的基級電流大于基級最大飽和電流，則可判斷電路此時處于飽和狀態(tài)。
飽和的條件：1. 集電極和電源之間有電阻存在 且越大就越容易管子飽和；2. 基集電流比較大以使集電極的電阻把集電極的電源拉得很低，從而出現(xiàn) b 較 c 電壓高的情況。
影響飽和的因素：1. 集電極電阻 越大越容易飽和；2. 管子的放大倍數(shù) 放大倍數(shù)越大越容易飽和；3. 基集電流的大小；
飽和后的現(xiàn)象：1. 基極的電壓大于集電極的電壓；2. 集電極的電壓為 0.3 左右，基極為 0.7 左右（假設 e 極接地）
談論飽和不能不提負載電阻。假定晶體管集 - 射極電路的負載電阻（包括集電極與射極電路中的總電阻）為 R，則集 - 射極電壓 Vce=VCC-Ib*hFE*R，隨著 Ib 的增大，Vce 減小，當 Vce<0.6V 時，B-C 結即進入正偏，Ice 已經(jīng)很難繼續(xù)增大，就可以認為已經(jīng)進入飽和狀態(tài)了。當然 Ib 如果繼續(xù)增大，會使 Vce 再減小一些，例如降至 0.3V 甚至更低，就是深度飽和了。以上是對 NPN 型硅管而言。
另外一個應該注意的問題就是：在 Ic 增大的時候，hFE 會減小，所以我們應該讓三極管進入深度飽和 Ib>>Ic(max)/hFE，Ic(max)是指在假定 e、c 極短路的情況下的 Ic 極限，當然這是以犧牲關斷速度為代價的。
注意：飽和時 Vb>Vc，但 Vb>Vc 不一定飽和。一般判斷飽和的直接依據(jù)還是放大倍數(shù)，有的管子 Vb>Vc 時還能保持相當高的放大倍數(shù)。例如：有的管子將 Ic/Ib<10 定義為飽和，Ic/Ib<1 應該屬于深飽和了。
從晶體管特性曲線看飽和問題：我前面說過：談論飽和不能不提負載電阻。現(xiàn)在再作詳細一點的解釋。
以某晶體管的輸出特性曲線為例。由于原來的 Vce 僅畫到 2.0V 為止，為了說明方便，我向右延伸到了 4.0V。
如果電源電壓為 V，負載電阻為 R，那么 Vce 與 Ic 受以下關系式的約束：Ic = (V-Vce)/R
在晶體管的輸出特性曲線圖上，上述關系式是一條斜線，斜率是 -1/R，X 軸上的截距是電源電壓 V，Y 軸上的截距是 V/R（也就是前面 NE5532 第 2 帖說的“Ic(max)是指在假定 e、c 極短路的情況下的 Ic 極限”）。這條斜線稱為“靜態(tài)負載線”（以下簡稱負載線）。各個基極電流 Ib 值的曲線與負載線的交點就是該晶體管在不同基極電流下的工作點。見下圖：
圖中假定電源電壓為 4V，綠色的斜線是負載電阻為 80 歐姆的負載線，V/R=50MA，圖中標出了 Ib 分別等于 0.1、0.2、0.3、0.4、0.6、1.0mA 的工作點 A、B、C、D、E、F。據(jù)此在右側作出了 Ic 與 Ib 的關系曲線。根據(jù)這個曲線，就比較清楚地看出“飽和”的含義了。曲線的綠色段是線性放大區(qū)，Ic 隨 Ib 的增大幾乎成線性地快速上升，可以看出β值約為 200。蘭色段開始變彎曲，斜率逐漸變小。紅色段就幾乎變成水平了，這就是“飽和”。實際上，飽和是一個漸變的過程，蘭色段也可以認為是初始進入飽和的區(qū)段。在實際工作中，常用 Ib*β=V/R 作為判斷臨界飽和的條件。在圖中就是假想綠色段繼續(xù)向上延伸，與 Ic=50MA 的水平線相交，交點對應的 Ib 值就是臨界飽和的 Ib 值。圖中可見該值約為 0.25mA。
由圖可見，根據(jù) Ib*β=V/R 算出的 Ib 值，只是使晶體管進入了初始飽和狀態(tài)，實際上應該取該值的數(shù)倍以上，才能達到真正的飽和；倍數(shù)越大，飽和程度就越深。
圖中還畫出了負載電阻為 200 歐姆時的負載線。可以看出，對應于 Ib=0.1mA，負載電阻為 80 歐姆時，晶體管是處于線性放大區(qū)，而負載電阻 200 歐姆時，已經(jīng)接近進入飽和區(qū)了。負載電阻由大到小變化，負載線以 Vce=4.0 為圓心呈扇狀向上展開。負載電阻越小，進入飽和狀態(tài)所需要的 Ib 值就越大，飽和狀態(tài)下的 C-E 壓降也越大。在負載電阻特別小的電路，例如高頻諧振放大器，集電極負載是電感線圈，直流電阻接近 0，負載線幾乎成 90 度向上伸展（如圖中的紅色負載線）。這樣的電路中，晶體管直到燒毀了也進入不了飽和狀態(tài)。以上所說的“負載線”，都是指直流靜態(tài)負載線；“飽和”都是指直流靜態(tài)飽和。
用三極管需要考慮的問題：
1）耐壓夠不夠
2）負載電流夠不夠大
3）速度夠不夠快（有時卻是要慢速）
4）B 極控制電流夠不夠
5）有時可能考慮功率問題
6）有時要考慮漏電流問題（能否“完全”截止）。
7）一般都不怎么考慮增益（我的應用還沒有對此參數(shù)要求很高）
實際使用時，晶體管注意四個要素就行：-0.1~-0.3V 振蕩電路， 0.65-0.7V 放大電路，0.8V 以上為開關電路，β值中放、高放為 30-40，低放 60-80，開關 100-120 以上就行，不必研究其它的，研究它的共價鍵、電子、空穴沒用
Vce=VCC（電源電壓）-Vc（集電極電壓）=VCC-Ic（集電極電流）Rc（集電極電阻）。
可以看出，這是一條斜率為 -Rc 的直線，稱為“負載線”。當 Ic=0 時，Vce=Vcc。當 Vce=0 時（實際上正常工作時 Vce 不可能等于 0，這是它的特性決定的），Ic=Vcc/Rc。也就是說，Ic 不可能大于這個數(shù)值。對應的基極電流 Ib=Ic/β=Vcc/βRc，這就是飽和基極電流的計算公式。
飽和分臨界飽和和過度飽和兩種狀態(tài)。當 Ib=Vcc/βRc 時，三極管基本處于臨界飽和狀態(tài)。
當基極電流大于此值的兩倍，三極管就基本進入深度飽和狀態(tài)。三極管深度飽和和臨界飽和的 Vce 差很大。臨界飽和壓降大，但退出飽和容易；深度飽和壓降小但不容易退出飽和。所以，不同用途選擇的基極電流是不一樣的。
還有，飽和壓降和集電極電流有直接關系。集電極電阻越小，飽和集電極電流就越大，飽和壓降越大。反之也相反（集電極電阻越大，飽和集電極電流就越小，飽和壓降越小）。如果集電極電流 5 毫安時三極管飽和，9013、9012 之類的飽和壓降一般不超過 0.6 伏。基極電流超過兩倍 Vcc/βRc 時，一般飽和壓降就小到 0.3V 左右了。
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