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  • IGBT管和三極管的區別介紹
    • 發布時間:2021-03-06 14:31:05
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    IGBT管和三極管的區別介紹
    從廣義的講,IGBT也是三極管,是一種特殊的三極管。絕緣柵雙極晶體管(IGBT)本質上是一個場效應晶體管,只是在漏極和漏區之間多了一個 P 型層。根據國際電工委員會的文件建議,其各部分名稱基本沿用場效應晶體管的相應命名。 其相當于相當于一個由MOSFET驅動的厚基區GTR , Rdr是厚基區GTR的擴展電阻。IGBT是以GTR 為主導件、MOSFET 為驅動件的復合結構。
    IGBT與三極管的關系看其結構圖就一目了然了,IGBT結構圖如下
    IGBT管,三極管
    IGBT結構圖
    IGBT結構上類似于MOSFET ,其不同點在于IGBT 是在N溝道功率MOSFET 的N+基板(漏極)上增加了一個P+ 基板(IGBT 的集電極),形成 PN 結j1 ,并由此引出漏極、柵極和源極則完全與 MOSFET 相似。 N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構, N+區稱為源區,附于其上的電極稱為源極。 N+ 區稱為漏區。器件的控制區為柵區,附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P型區(包括P+和P一區)(溝道在該區域形成),稱為亞溝道區(Subchannel  region )。而在漏區另一側的 P+ 區稱為漏注入區(Drain injector ),它是 IGBT 特有的功能區,與漏區和亞溝道區一起形成 PNP 雙極晶體管,起發射極的作用,向漏極注入空穴,進行導電調制,以降低器件的通態電壓。附于漏注入區上的電極稱為漏極。 
    為了兼顧長期以來人們的習慣, IEC 規定:源極引出的電極端子(含電極端)稱為發射極端(子),漏極引出的電極端(子)稱為集電極端(子)。這又回到雙極晶體管的術語了。但僅此而已。 
    IGBT管與三極管電路符號如下:
    IGBT管,三極管
    N溝道IGBT等效電路與電氣符號
    IGBT管,三極管
    集中結構的三極管電路符號
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