MOSFET又叫場(chǎng)效應(yīng)管，輸入電阻極大，兆歐級(jí)的，容易驅(qū)動(dòng)，因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)而廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。在使用MOSFET設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí)，大部分人都會(huì)考慮導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流，常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)來(lái)選擇合適的電路。但很多時(shí)候僅僅考慮了這些因素并不是一個(gè)好的設(shè)計(jì)方案，還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。Mos管驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)腳輸出的峰值電流，上升速率等都會(huì)影響MOSFET的開(kāi)關(guān)性能。下面介紹下模塊電源中常用的幾種MOSFET驅(qū)動(dòng)電路。
1、電源IC直接驅(qū)動(dòng)MOSFET：
電源IC直接驅(qū)動(dòng)是我們最常用的驅(qū)動(dòng)方式，同時(shí)也是最簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)方式，使用這種驅(qū)動(dòng)方式的模塊電源，應(yīng)該注意幾個(gè)參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。
1、查看一下電源IC手冊(cè)，其最大驅(qū)動(dòng)峰值電流，因?yàn)椴煌酒?qū)動(dòng)能力很多時(shí)候是不一樣的。
2、了解一下MOSFET的寄生電容，如上圖中C1、C2的值。如果C1、C2的值比較大，MOS管導(dǎo)通的需要的能量就比較大，如果電源IC沒(méi)有比較大的驅(qū)動(dòng)峰值電流，那么管子導(dǎo)通的速度就比較慢。如果驅(qū)動(dòng)能力不足，上升沿可能出現(xiàn)高頻振蕩，即使把上圖中Rg減小也不能解決問(wèn)題。IC驅(qū)動(dòng)能力、MOS寄生電容大小、MOS管開(kāi)關(guān)速度等因素，都影響驅(qū)動(dòng)電阻阻值的選擇，所以Rg并不能無(wú)限減小。
2、電源IC驅(qū)動(dòng)能力不足時(shí)：
如果選擇MOS管寄生電容比較大，電源IC內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)能力又不足時(shí)，需要在驅(qū)動(dòng)電路上增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力，常用圖騰柱電路增加電源IC驅(qū)動(dòng)能力，如下圖所示：
這種驅(qū)動(dòng)電路作用在于提升電流提供能力，迅速完成對(duì)于柵極輸入電容電荷的充電過(guò)程。這種拓?fù)湓黾恿藢?dǎo)通所需要的時(shí)間，但是減少了關(guān)斷時(shí)間，開(kāi)關(guān)管能快速開(kāi)通且避免上升沿的高頻振蕩。
3、驅(qū)動(dòng)電路加速M(fèi)OS管關(guān)斷時(shí)間：
關(guān)斷瞬間驅(qū)動(dòng)電路能提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放，保證開(kāi)關(guān)管能快速關(guān)斷。為使柵源極間電容電壓的快速泄放，常在驅(qū)動(dòng)電阻上并聯(lián)一個(gè)電阻和一個(gè)二極管。
如上圖所示：其中D1常用的是快恢復(fù)二極管，這使關(guān)斷時(shí)間減小，同時(shí)減小關(guān)斷時(shí)的損耗。Rg2是防止關(guān)斷的時(shí)電流過(guò)大，把電源IC給燒掉。
在介紹第二種的圖騰柱電路也有加快關(guān)斷作用，當(dāng)電源IC的驅(qū)動(dòng)能力足夠時(shí)，對(duì)電路改進(jìn)可以加速M(fèi)OS管關(guān)斷時(shí)間。
如上圖所示：用三極管來(lái)泄放柵源極間電容電壓是比較常見(jiàn)的。如果Q1的發(fā)射極沒(méi)有電阻，當(dāng)PNP三極管導(dǎo)通時(shí)，柵源極間電容短接，達(dá)到最短時(shí)間內(nèi)把電荷放完，最大限度減小關(guān)斷時(shí)的交叉損耗。與上面拓?fù)湎啾容^，還有一個(gè)好處，就是柵源極間電容上的電荷泄放時(shí)電流不經(jīng)過(guò)電源IC，提高了模塊電源可靠性。
4、隔離驅(qū)動(dòng)：
為了滿(mǎn)足上圖所示高端MOS管的驅(qū)動(dòng)，經(jīng)常會(huì)采用變壓器驅(qū)動(dòng)，有時(shí)為了滿(mǎn)足安全隔離也使用變壓器驅(qū)動(dòng)。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的電感與C1形成LC振蕩，C1的目的是隔開(kāi)直流，通過(guò)交流，同時(shí)也能防止磁芯飽和。
一個(gè)好的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路主要有以下五種要求：
1、開(kāi)關(guān)管開(kāi)通瞬時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值，保證開(kāi)關(guān)管能快速開(kāi)通且不存在上升沿的高頻振蕩。
2、開(kāi)關(guān)導(dǎo)通期間驅(qū)動(dòng)電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩(wěn)定且可靠導(dǎo)通。
3、關(guān)斷瞬間驅(qū)動(dòng)電路能提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放，保證開(kāi)關(guān)管能快速關(guān)斷。
4、驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可靠、損耗小。
5、根據(jù)情況施加隔離。
模塊電源中的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路還有很多其它形式的驅(qū)動(dòng)電路，對(duì)于各種各樣的驅(qū)動(dòng)電路并沒(méi)有一種驅(qū)動(dòng)電路是最好的，只有結(jié)合具體應(yīng)用，選擇最合適的驅(qū)動(dòng)。
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