單片機驅(qū)動MOS管電路圖原理
單片機驅(qū)動MOS管電路圖：先了解一下單片機驅(qū)動mos管電路圖及原理，單片機驅(qū)動mos管電路主要根據(jù)MOS管要驅(qū)動什么東西， 要只是一個繼電器之類的小負載的話直接用51的引腳驅(qū)動就可以，要注意電感類負載要加保護二極管和吸收緩沖，最好用N溝道的MOS。
如果驅(qū)動的東西（功率）很大，（大電流、大電壓的場合），最好要做電氣隔離、過流超壓保護、溫度保護等
此時既要隔離傳送控制信號（例如PWM信號），也要給驅(qū)動級（MOS管的推動電路）傳送電能。常用的信號傳送有PC923、PC929、6N137、TL521等。
至于電能的傳送可以用DC-DC模塊。MOS管有一種簡單的驅(qū)動方式：2SC1815+2SA1020，NPN與PNP一個用于MOS開啟驅(qū)動，一個用于MOS快速關斷。
MOS開關管損失
MOS管驅(qū)動電路不管是NMOS還是PMOS，導通后都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。
現(xiàn)在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。
MOS在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內(nèi)，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關損失。
通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越快，損失也越大。
導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。縮短開關時間，可以減小每次導通時的損失；降低開關頻率，可以減小單位時間內(nèi)的開關次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開關損失。
MOS管驅(qū)動
跟雙極性晶體管相比，一般認為使MOS管導通不需要電流，只要GS電壓高于一定的值，就可以了。這個很容易做到，但是，我們還需要速度。在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅(qū)動，實際上就是對電容的充放電。
對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設計MOS管驅(qū)動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。
MOS管驅(qū)動電路第二注意的是，普遍用于高端驅(qū)動的NMOS，導通時需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時 柵極電壓要比VCC大4V或10V。
如果在同一個系統(tǒng)里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅(qū)動MOS管。
上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導通電壓，設計時當然需要有一定的余量。而且電壓越高，導通速度越快，導通電阻也越小。
MOS管驅(qū)動有哪些?
1.電源IC直接驅(qū)動MOSFET
電源IC直接驅(qū)動是最常用的驅(qū)動方式，同時也是最簡單的驅(qū)動方式，使用這種驅(qū)動方式，應該注意幾個參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。第一，查看一下電源IC手冊，其最大驅(qū)動峰值電流，因為不同芯片，驅(qū)動能力很多時候是不一樣的。
2.圖騰柱驅(qū)動MOS
如果選擇MOS管寄生電容比較大，電源IC內(nèi)部的驅(qū)動能力又不足時，需要在驅(qū)動電路上增強驅(qū)動能力，常使用圖騰柱電路增加電源IC驅(qū)動能力。
這種驅(qū)動電路作用在于，提升電流提供能力，迅速完成對于柵極輸入電容電荷的充電過程。這種拓撲增加了導通所需要的時間，但是減少了關斷時間，開關管能快速開通且避免上升沿的高頻振蕩。
3.加速MOS關斷
關斷瞬間驅(qū)動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放，保證開關管能快速關斷。
為使柵源極間電容電壓的快速泄放，常在驅(qū)動電阻上并聯(lián)一個電阻和一個二極管，如圖所示，其中D1常用的是快恢復二極管。這使關斷時間減小，同時減小關斷時的損耗。Rg2是防止關斷的時電流過大，把電源IC給燒掉。
除了以上驅(qū)動電路之外，還有很多其它形式的驅(qū)動電路。對于各種各樣的驅(qū)動電路并沒有一種驅(qū)動電路是最好的，只有結合具體應用，選擇最合適的驅(qū)動。
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