功率MOS管參數(shù)-Vdss溫度特性分析
由圖可知MOSFET-Vdss耐壓隨溫度升高而增加。 為什么MSOFET的VDS耐壓隨溫度升高而增加,即呈現(xiàn)正溫度系數(shù)呢?
這是半導(dǎo)體硅材料的特性所決定的!MOS管是單子導(dǎo)電機(jī)理!載流子只有電子,溫度升高,溝道電阻增加,電子遷移減少,電流變小!故耐壓會(huì)增加!MOS管是單子導(dǎo)電機(jī)理!載流子只有電子,溝道夾斷,電子無法通過溝道導(dǎo)通,單外延層中低參雜PN結(jié)中的電子遷移很小,溫度升高,這種飄移電流變小!故其反向截止的損耗減小,雪崩能量增加,耐壓也增加!當(dāng)然在這里要做一下分類,其實(shí)半導(dǎo)體材料在溫度升高時(shí),其內(nèi)能是增加的,即電子的活性是增加的,單就PN結(jié)在反向截止是存在一個(gè)耗盡區(qū),這個(gè)耗盡區(qū)的寬度和載流子的活性決定了耐壓!這個(gè)耐壓和參雜程度,PN界面形狀,界面面積都有關(guān)!所以不同的參雜程度,不同的界面形狀,界面面積就可以造就不同耐壓,不同電流,不同性能的器件,如二極管,穩(wěn)壓管,包括MOS管,僅就MOS管,其不同的界面形狀就造就了平面管,溝槽管,超深工藝的超極管!功率MOS管參數(shù)
為什么二極管的反向耐壓是隨溫度變高而降低了,MOSFET-Vdss耐壓是溫度升高而增加呢?
兩種器件的導(dǎo)電機(jī)理是不一樣的!二極管是雙子導(dǎo)電,是空穴和電子同時(shí)遷移產(chǎn)生電流!二極管的反向漏電流是隨溫度上升而增加的!故溫度越高反向漏電流越大,損耗迅速增加最后雪崩擊穿!MOS管是單子導(dǎo)電機(jī)理!載流子只有電子,溫度升高,溝道電阻增加,電子遷移減少,電流變小!故耐壓會(huì)增加!故雙極型器件(雙子載流)的反向漏電流要比MOS型器件大!
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