二極管是最簡單的半導體器件,也是大多數電子產品BOM清單中的基礎元器件之一。雖然購買二極管之前,用戶已經知道這些二極管的具體用法,閱讀廠商提供的二極管數據表,可以了解更多的二極管參數和應用信息,讓自己的設計方案更完美。
但是,目前市場上的半導體器件,無論是集成電路芯片,還是二極管、三極管、MOS管,廠家所提供的數據表(datasheet)全部是英文。以下列出了一些常見的二極管參數,依次為參數、英文說明、中文說明:
αVF:Temperature coefficient of forward voltage,正向壓降的溫度系數
Cj:Junction Capacitance,結電容
ηV:Rectification Efficiency,整流效率
dv/dt:critical rate of rise of off-state voltage,斷態電壓臨界上升率
di/dt:critical rate of rise of on-state current,通態電流臨界上升率
I(AV):Average Forward Rectified Current,正向平均整流電流
ID:Stand-off Reverse Leakage Current,關態反向漏電流
IFSM:Peak Forward Surge Current,正向浪涌峰值電流
IF(AV):foreard current,正向平均電流(整流管)
If:DC Forward Current,正向直流電流
IGT:gate trigger current,門極觸發電流
ITSM:Non Repetitive Surge Peak on-state Current,不重復浪涌峰值開態電流
IDM:Maximum Reverse Leakage,最大反向漏電流
IDRM:repetitive peak of-state current,斷態重復峰值電流
IFM:peak forward current (of diode),正向峰值電流(整流管)
IFRM:Repetitive Peak Forward Current,正向重復峰值電流
IH:Holding Current,維持電流
IO:Mean Forward Current,正向平均電流
IR:Reverse Leakage Current,反向漏電流
Irr:Reverse Recovery Current,反向恢復電流
IPPM:Maximum peak lmpulse Current,最大脈沖峰值電流
IRM:Maximum peak Reverse Current,最大峰值反向電流
IRM(REC):Maximum peak Reverse recovery Current,最大峰值反向恢復電流
IRMS:R.M.S. on-state current,通態方均根電流
IRRM:repetitive peak reverse current,反向重復峰值電流
IRSM:Maximum Non-repetitive recovery Peak Current,最大峰值反向恢復電流
IT:On-state Test Current,導通測試電流
IT(AV):on-state current,通態平均電流
ITM:peak on-state current,通態峰值電流
ITSM:surge on-state current,通態浪涌電流
PD:Power Dissipation,功功率損耗
PM(AV):Maximum Steady State Power Dissipation,最大穩態功耗
PPM:Peak Pulse Power Dissipation,峰值脈沖功耗
Ptot:Total Power Dissipation,總功耗
Qrr:reverse recovery charge,反向恢復電荷
Rjc:junction-case thermal resistance,結殼熱阻
ROJA:Thermal Resistance (Junction to Ambient),熱阻(結到環境)
ROJC:Thermal Resistance(Junction to Case ),熱阻(結到管殼)
ROJL:Thermal Resistance(Junction to Lead ),熱阻(結到引線)
TA:Ambient Temperature,環境溫度
TC:Case Temperature,管殼溫度
td:Time Duration,持續時間
tf:Fall Time,下降時間
tfr:Forward Recovery Time,正向恢復時間
tgt:gate controlled turn-on time,門極控制開通時間
Tj:Junction Temperature,結溫
Tjm:maximum virtual junction temperature,最高等效結溫
TL:Lead Temperature,引線溫度
ton:turn on time,開通時間
tq:cricuit commutated turn-off time,電路換向關斷時間
tr:Rise Time,上升時間
trr:reverse recovery time (of diode) ,(二極管的)反向恢復時間
ts:storage time,存儲時間
TSTG: Storage Temperature,存儲溫度
VBO:Breakover Voltage,轉折電壓
V(BR):Reverse Breakdown Voltage,反向擊穿電壓
VDC,VR DC Reverse Voltage,反向直流電流
VDSM:non-repetitive peak off-state voltage,斷態不重復峰值電壓
VDRM:repetitive peak off-state voltage,斷態重復峰值電壓
VF:Instantaneous Forward Voltage,正向瞬態電壓
VFM:peak forward voltage (of diode),正向峰值電壓(整流管)
VFR:Forward Recovery Voltage,正向恢復電壓
VGT:gate trigger voltage,門極觸發電壓
VRM:Maximum Reverse Paek Reverse Voltage,最大重復峰值反向電壓
VRMS:RMS Input Voltage,均方根輸入電壓
VRRM:Peak Repetitive Reverse Voltage,反向重復峰值電壓
VRSM:non-repetitive peak reverse voltage,反向不重復峰值電壓
VTM:peak on-state voltage,通態峰值電壓
VWM:Working Peak Reverse Voltage,反向工作峰值電壓
VC:Clamping Voltage,箝位電壓
VWM:Working Stand-off Voltage,關態工作電壓
VZ:Zener Voltage,齊納電壓
ZZ:Dynamia Zener Impedance,動態齊納阻抗
以烜芯微科技生產的BZT52C18穩壓二極管為例,該通用的中等電流貼片二極管采用SOD-123封裝,最大功耗(PD)為350mW,導通電壓(VF@IF=10mA)為0.9V,熱阻(ROJA)為357°C/W,結溫(TJ)為150°C,存儲溫度(TSTG)為-55~+150°C,其他參數用戶可以從數據表中的圖表及特性曲線查找。
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