增強型MOS管和耗盡型MOS管有什么區別
場效應管分為結型場效應管(JFET)和絕緣柵場效應管(MOS管)兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種;按導電方式:耗盡型與增強型,結型場效應管均為耗盡型,絕緣柵型場效應管既有耗盡型的,也有增強型的。場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管,而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類。絕緣柵場效應管是由金屬、氧化物和半導體所組成,所以又稱為金屬—氧化物—半導體場效應管,簡稱MOS場效應管。絕緣柵型場效應管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應管為例)它是利用UGS來控制“感應電荷”的多少,以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況,然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時,通過工藝使絕緣層中出現大量正離子,故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷,這些負電荷把高滲雜質的N區接通,形成了導電溝道,即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時,溝道內被感應的電荷量也改變,導電溝道的寬窄也隨之而變,因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。場效應管的工作方式有兩種:所謂的增強還是耗盡,主要是指MOS管內的反型層。如果在不通電情況下,反型層不存在,電壓加到一定程度后,反型層才出現,(當柵壓為零,漏極電流也為零,必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的)這個就是增強。相反,如果反型層一開始就存在,隨著電壓強弱,反型層會出現增加或者衰減,(當柵壓為零時有較大漏極電流的)這個就是耗盡。
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